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4GB DDR4 2666 MEMORIA SO-DIMM (1X4GB) CL11 SILICON POWER
| Especificação | Detalhes |
| Capacidade | 4 GB |
| Tipo de Memória | DDR4 SO-DIMM |
| Interface | 260 pinos |
| Velocidade | 2666 MT/s |
| Latência (CAS) | CL22 |
| Voltagem | 1.20 V |
| Configuração | 1 × 4 GB |
| Form Factor RAM | SO-DIMM |
| Certificações | CE, FCC, RoHS, WEEE, Green Dot |
| ECC | n/a |
| XMP / EXPO | n/a |
| Cor | n/a |
Memória
Geral
Compatibilidade
Características Memória 4GB DDR4 2666MHz SO-DIMM CL22 (Silicon Power)
A memória SO-DIMM DDR4 de 4GB da Silicon Power foi desenvolvida para oferecer desempenho estável e eficiente em portáteis e sistemas compactos. Com velocidade de 2666MT/s e latência CL22, proporciona uma resposta equilibrada do sistema, melhorando a fluidez em tarefas básicas como navegação, produtividade leve, multimédia e utilização diária.
Este módulo é ideal para utilizadores que procuram uma solução económica e fiável para upgrade ou substituição de memória em laptops compatíveis com DDR4 SO-DIMM. O formato de 260 pinos garante ampla compatibilidade com plataformas móveis modernas.
Com consumo energético reduzido de 1.20V, esta memória ajuda a melhorar a eficiência do sistema e contribui para maior autonomia em dispositivos portáteis. Fabricada com componentes certificados, cumpre normas internacionais de qualidade e segurança como CE, FCC, RoHS, WEEE e Green Dot.
Projetada para oferecer estabilidade contínua, mantém desempenho consistente mesmo em utilização prolongada. É uma opção prática e confiável para uso doméstico e profissional leve.
Especificações Técnicas
| EspecificaçãoDetalhe | |
| Família Produto | 222MEMNTB000 |
| Referência NIPOSOM | 4P4GS2666SP22 |
| Tipo | DDR4 SO-DIMM |
| Interface | 260 pinos |
| Capacidade | 4GB |
| Velocidade | 2666 MT/s |
| Latência CAS | CL22 |
| Consumo | 1.20V |
| Certificações | CE, FCC, Green Dot, WEEE, RoHS |
| Peso | 10g |
| Peso com embalagem | 20g |
| Tipo de embalagem | Retail |
| Quantidade por embalagem | 1 |
| Origem | PRC |
| Garantia | 3 anos |
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