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4GB DDR4 2666 MEMORIA SO-DIMM (1X4GB) CL11 SILICON POWER

SILICON POWER Artikelnr.: MEM4GBDDR42666CL11SDSILICONPOW Kategorie: Arbeitsspeicher

EspecificaçãoDetalhes
Capacidade4 GB
Tipo de MemóriaDDR4 SO-DIMM
Interface260 pinos
Velocidade2666 MT/s
Latência (CAS)CL22
Voltagem1.20 V
Configuração1 × 4 GB
Form Factor RAMSO-DIMM
CertificaçõesCE, FCC, RoHS, WEEE, Green Dot
ECCn/a
XMP / EXPOn/a
Corn/a


40,08 € MwSt. inbegriffen
Auf Lager
Voraussichtliche Lieferung: 24h Kostenloser Versand ab 200,00 € (Festland)
Garantie: 3 anos

Arbeitsspeicher

RAM-Typ DDR4
RAM 4GB GB
Velocidade 2666 MT/s MHz
Latência (CAS) CL22
Voltagem 1.20V V
Configuração 1 × 4 GB
Form Factor RAM SO-DIMM
ECC Não
XMP / EXPO Não especificado / Não suportado (padrão JEDEC)
Dissipador Não especificado

Allgemein

Farbe n/a
Betriebssystem n/a (não aplicável a memória RAM)

Características Memória 4GB DDR4 2666MHz SO-DIMM CL22 (Silicon Power)

A memória SO-DIMM DDR4 de 4GB da Silicon Power foi desenvolvida para oferecer desempenho estável e eficiente em portáteis e sistemas compactos. Com velocidade de 2666MT/s e latência CL22, proporciona uma resposta equilibrada do sistema, melhorando a fluidez em tarefas básicas como navegação, produtividade leve, multimédia e utilização diária.

Este módulo é ideal para utilizadores que procuram uma solução económica e fiável para upgrade ou substituição de memória em laptops compatíveis com DDR4 SO-DIMM. O formato de 260 pinos garante ampla compatibilidade com plataformas móveis modernas.

Com consumo energético reduzido de 1.20V, esta memória ajuda a melhorar a eficiência do sistema e contribui para maior autonomia em dispositivos portáteis. Fabricada com componentes certificados, cumpre normas internacionais de qualidade e segurança como CE, FCC, RoHS, WEEE e Green Dot.

Projetada para oferecer estabilidade contínua, mantém desempenho consistente mesmo em utilização prolongada. É uma opção prática e confiável para uso doméstico e profissional leve.

Especificações Técnicas

EspecificaçãoDetalhe
Família Produto222MEMNTB000
Referência NIPOSOM4P4GS2666SP22
TipoDDR4 SO-DIMM
Interface260 pinos
Capacidade4GB
Velocidade2666 MT/s
Latência CASCL22
Consumo1.20V
CertificaçõesCE, FCC, Green Dot, WEEE, RoHS
Peso10g
Peso com embalagem20g
Tipo de embalagemRetail
Quantidade por embalagem1
OrigemPRC
Garantia3 anos


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